[18p-C302-1~19] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [18p-C302-3] GaN Surface Oxidation Effects to Electrical Property in ALD-Al₂O₃/ GaN Interface

〇Manato Deki¹, Kazushi Sone², Kentaro Nagamatsu¹, Atsushi Tanaka^1,3, Maki Kushimoto², Shugo Nitta¹, Yoshio Honda¹, Hiroshi Amano^1,4,5 (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.Nagoya Univ., 3.NIMS, 4.Univ. ARC, 5.Nagoya Univ. VBL)

Keywords:Gallium Nitride, MOS capacitor

窒化ガリウムを用いたパワーデバイス実用化には、ゲート絶縁膜の高信頼性化が必要である。本研究では、GaN表面にO₃酸化を行い、GaN表面への酸化処理および熱処理がALD-Al₂O₃/GaN界面の電気特性に与える影響に関して評価を行った。O₃処理および400℃にて理想的なC-V特性になり、熱処理温度を600℃に上昇させても、C-V特性は大きく劣化せず、界面特性の向上と熱処理温度耐性の向上が確認された。