[18p-C302-1~19] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-C302-3] GaN表面への酸化プロセスがALD-Al₂O₃/GaN界面の電気特性に与える影響

〇出来 真斗¹、曾根 和詩²、永松 謙太郎¹、田中 敦之^1,3、久志本 真希²、新田 州吾¹、本田 善央¹、天野 浩^1,4,5 (1.名大 未来材料・システム研、2.名大院工、3.物材機構、4.名大 赤﨑記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード：窒化ガリウム、MOSキャパシタ

窒化ガリウムを用いたパワーデバイス実用化には、ゲート絶縁膜の高信頼性化が必要である。本研究では、GaN表面にO₃酸化を行い、GaN表面への酸化処理および熱処理がALD-Al₂O₃/GaN界面の電気特性に与える影響に関して評価を行った。O₃処理および400℃にて理想的なC-V特性になり、熱処理温度を600℃に上昇させても、C-V特性は大きく劣化せず、界面特性の向上と熱処理温度耐性の向上が確認された。