[18p-C302-1~19] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-C302-9] マイクロニードル技術を用いた高品質ヘテロエピタキシャル膜上に
作製したダイヤモンドFET

〇嘉数 誠¹、深見 成¹、石松 裕真¹、桝谷 聡士¹、大石 敏之¹、藤居 大樹²、金 聖佑² (1.佐賀大院工、2.アダマンド並木精密宝石株式会社)

キーワード：ダイヤモンド

マイクロニードル技術を用いた高品質ヘテロエピタキシャル膜上に
ダイヤモンドFETを作製し、優れた特性を得た。