[18p-C304-1~11] ゲルマニウムの工学－電子・光・熱・スピン　Ⅳ族半導体の新展開－

[18p-C304-10] 熱電デバイス応用に向けたIV族半導体ナノ構造における電子・フォノン輸送制御

〇中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：熱電材料、ナノ構造、分子線エピタキシー

熱電変換の高性能化において、高電気伝導率と低熱伝導率の同時達成は、長年の課題となってきた。近年では、ナノ構造導入によりフォノンの界面散乱を誘起して、熱伝導率を下げることが注目されているが、同時にキャリアも界面で散乱され、移動度が減少してしまう可能性がある。本講演では、電気伝導率維持と低熱伝導率化を目指して開発した電子・フォノン輸送制御を可能にするナノドット含有シリコン系薄膜について報告する。