[18p-C304-1~11] ゲルマニウムの工学－電子・光・熱・スピン　Ⅳ族半導体の新展開－

[18p-C304-3] Si-Ge系コア・シェル量子構造の高密度集積と光・電子物性制御

〇宮崎 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：半導体量子ドット、シリコン、ゲルマニウム

極薄SiO₂層上のGeコア・Siシェル量子ドットの高密度形成とその物性評価について、最近の成果を紹介する。特に、Si量子ドットにおけるGeコアの埋め込みとGeコアへの不純物ドーピングが、フォトルミネッセンス特性に与える影響を系統的に調べた結果に基づいて、発光再結合の起源とそのメカニズムについて議論する。さらに、電界による電子・正孔注入（同時注入および交互注入）で生じる近赤外発光特性についても言及する。