[18p-C304-1~11] ゲルマニウムの工学－電子・光・熱・スピン　Ⅳ族半導体の新展開－

[18p-C304-7] ゲルマニウムスピンデバイスのための物性解明と応用展開

〇浜屋 宏平^1,2 (1.阪大基礎工、2.阪大CSRN)

キーワード：スピントロニクス

本講演では，著者らが長年にわたって研究してきた強磁性合金の作製技術を中心としたGeスピントロニクス技術の開発によって，Geへの電気的なスピン注入技術が確立され，室温でもスピン信号を観測することに成功した例を紹介する．また，低温から室温まで系統的にスピン信号を解析することで，Ge中で生じるスピン緩和現象の解明に至った．これにより，今後のデバイス開発に向けて重要となる指針を提示する