[18p-D102-1~23] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[18p-D102-15] Control of threshold voltage in a low-voltage operation organic field effect transistor

〇Yasuyuki Abe¹, Heisuke Sakai¹, Hideyuki Murata¹ (1.JAIST)

Keywords:low-voltage operation, Vth shift

本研究では6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)-pentaceneとPolystyreneを半導体層に用いることで低電圧駆動するOFETを作製した。このOFETの絶縁層にpoly(vinyl cinnamate) (PVCN)とSiO₂を用いた二層絶縁層構造を採用し、PVCN層にホールをトラップさせることで低電圧駆動OFETにおける閾値電圧の制御を実現した。