[18p-D103-1~23] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18p-D103-19] 近接場ラマン分光法を用いたSiO₂/SiCの界面応力評価

〇村上 昌孝¹、藤田 康彦¹ (1.東レリサーチセンター)

キーワード：炭化ケイ素、SiC、応力

酸化シリコン薄膜が積層された単結晶炭化シリコン（4H-SiC）において、SiO₂/SiC界面に作用する局所応力を評価することを目的として、近接場ラマン分光法を用いた界面応力分布解析を行った。劈開により得た断面から、SiCの近接場ラマンスペクトルを取得し、SiCの分布応力を解析したところ、SiO₂界面から300 nm程度までの領域に引張応力が存在することを確認した。また、その程度は約55 MPaと見積もられた。