[18p-D103-1~23] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18p-D103-3] 分子イオン注入エピウェーハの製品特性(３)
－RTA処理による注入欠陥に捕獲された水素の熱処理挙動解析－

〇門野 武¹、奥山 亮輔¹、廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、小林 弘治¹、重松 理史¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：分子イオン注入、水素、酸素

CMOSイメージセンサの高品質化を目的に，炭化水素化合物をイオンソースとした分子イオン注入技術の研究開発をおこなってきた．高ドーズ量の注入条件では，注入レンジに炭素に起因した注入欠陥だけでなく，アモルファスに起因した注入欠陥も形成することを明らかにした．本報告では，これらの注入欠陥に着目し，クラスター注入ウェーハの特徴に関連する水素，および基板酸素の捕獲・拡散挙動の評価・解析をおこなったので報告する．