[18p-D103-1~23] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18p-D103-8] Siウェーハ中の酸素析出物と膜応力による不純物ゲッタリング競合

〇鳥越 和尚¹、小野 敏昭¹ (1.SUMCO)

キーワード：シリコン、ゲッタリング、酸素析出物

従来、Siウェーハ中の酸素析出物による不純物のゲッタリング能力を調べるための汚染実験は、デバイス構造による膜応力のないウェーハで行われていた。今回、様々な密度とサイズの酸素析出物を持ったウェーハに窒化膜を形成してNiを汚染した結果、酸素析出物によるNiのゲッタリングに膜応力は影響しなかった。つまり、従来の故意汚染実験は、デバイス製造プロセスでのゲッタリングの指標として問題ないことが分かった。