FC式ミストCVDにおける高品質金属酸化物薄膜作製を目的とした<br />反応メカニズム解析(Ⅱ)

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-E201-1~13] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2018年3月18日(日) 13:45 〜 17:15 E201 (57-201)

藤村紀文(大阪府立大)、牧野久雄(高知工科大)

14:15 〜 14:30

〇(M1)西美咲¹、刘丽¹、佐藤翔太¹、ルトンジャンピモンパン¹、坂本雅仁¹、上田真理子¹、Ellawala.K.C プラディープ²、Giang Thai ダン²、川原村敏幸^2,1 (1.高知工科大、2.高知工科大総研)

キーワード：ミストCVD