[18p-E201-1~13] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [18p-E201-4] Growth of Rocksalt-structured MgZnO thin films and their optical properties

〇Kyohei Ishii¹, Mizuki Ono², Takayuki Uchida¹, Riena Jinno¹, Takeyoshi Onuma², Kentaro Kaneko¹, Shizuo Fujita¹ (1.Kyoto Univ., 2.Kogakuin Univ.)

Keywords:DUV light emission, MgZnO, oxide semiconductor

MgZnOは最大7.8 eVのバンドギャップをもち、真空紫外領域での固体光源の材料として期待されている。これまでに波長212 nmでの発光を観測しており、さらなる短波長領域での発光を目指してより高Mg組成のMgZnO薄膜の成長条件についての検討を行った結果、成長温度750℃においてステップ高さが0.21 nmのステップ－テラス構造が得られた。当日はこの結果をもとに光物性についても発表する予定である。