The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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Oral presentation

21 Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-E201-1~13] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Sun. Mar 18, 2018 1:45 PM - 5:15 PM E201 (57-201)

Norifumi Fujimura(Osaka Pref. Univ.), Hisao Makino(Kochi Univ. of Tech.)

3:15 PM - 3:30 PM

[18p-E201-7] Preparation of dielectric distributed Bragg reflectors by the reactive helicon-wave-excited-plasma sputtering method (2)

Kohei Shima1, Takumi Kasuya1,2, Kiyoshi Kikuchi1, Kazunobu Kojima1,2, Shigefusa Chichibu1,2 (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Dept. Appl. Phys.-Tohoku Univ.)

Keywords:reactive helicon-wave-excited plasma sputtering method, distributed Bragg reflectors, HfO2

紫外線波長領域において高い反射率を有する高品質な誘電体(SiO2/HfO2)分布ブラッグ反射鏡を、独自の製膜法である反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法により形成した結果を報告する。反射率を低下させる要因である、膜の表面粗さによる光の散乱、および材料による光の吸収の観点から議論を行う。