[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E202-13] GaN表面上Ga吸着層の秩序構造

〇佐々木 拓生¹、岩田 卓也²、高橋 正光^1,2 (1.量研、2.兵庫県立大)

キーワード：GaN、放射光、表面

GaN成長中の表面にはGaが2原子層ほど液体状に存在する、いわゆるバイレイヤーの存在が知られているが、バイレイヤーのGa原子がランダムに存在しているのか、それとも液体にもかかわらず秩序構造を有しているかは明らかになっていない。本研究は、従来のRHEED強度測定に加えて、表面構造の違いに顕著なCrystal Truncation Rod（CTR）散乱強度を同時に測定し、Ga吸着層の秩序構造を検討した。