[18p-F206-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [18p-F206-5] 水素終端ダイヤモンド表面上のSiO₂薄膜が二次元正孔ガスに及ぼす影響

〇(B)矢部 太一¹、工藤 拓也¹、大井 信敬¹、大久保 智¹、堀川 清貴¹、天野 勝太郎¹、日出幸 昌邦¹、露崎 活人¹、蔭浦 泰資¹、河野 省三¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早稲田大学理工学術院、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、2DHG、SiO2

我々はこれまでに2DHGダイヤモンドMOSFETを作製し、幅広い温度領域での安定動作及び優れた耐圧特性を報告してきた。しかし、一般的なダイヤモンドMOSFETはノーマリオン動作であり、パワーデバイスとしてノーマリオフ動作が望まれる。そこで、SiO₂薄膜をMOS構造のゲート直下に形成することにより、C-H表面とA₂O₃の密着性の向上、Al₂O₃中の電荷とC-H界面の距離を離し、新たなノーマリオフ動作をするMOSFETを検討している。本研究では水素終端ダイヤモンド/Al₂O₃間にSiO₂薄膜を形成することにより、2DHG層に与える影響を評価した。