[18p-F206-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[18p-F206-9] 反転型ダイヤモンドMOSFETのデバイスシミュレーション

〇宮崎 久生¹、酒井 忠司¹、松本 翼^2,3、加藤 宙光³、牧野 俊晴³、小倉 政彦³、徳田 規夫^2,3、山崎 聡³ (1.東芝研究開発センター、2.金沢大、3.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、デバイスシミュレーション

ダイヤモンド半導体は深いドナー・アクセプタ準位を持つため、イオン化率の温度依存性が大きい。このことがデバイス設計に与える影響について評価するため、反転型MOSFETをモデルケースとしてデバイスシミュレーションを行った。自己発熱による温度上昇に伴うキャリア密度増加による熱暴走の懸念や、電荷密度分布の温度変化による空乏層の厚さの変化は、反転型MOSFETにおいては大きな問題ではないことが示された。