[18p-F206-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

[18p-F206-10] Electrical characteristics of diamond Schottky-pn diode in high current density region

〇Naoto Ozawa^1,2, Toshiharu Makino^1,2, Hiromitsu Kato², Ogura Masahiko², Daisuke Takeuchi², Okushi Hideyo², Yamasaki Satoshi^1,2 (1.Uni. of Tsukuba, 2.AIST)

Keywords:diamond diode, space charge limited current, on-resistance

ダイヤモンドは、高い熱伝導率、絶縁破壊電界等を持つことから次世代のパワーデバイス材料として期待されている。これまでの研究でダイヤモンドschottky-pn ダイオードの順方向におけるオン抵抗は、低抵抗のp⁺ 層で決められるとされてきたが、ダイヤモンドの成膜技術の向上により、p⁺層の更なる低抵抗化とn層の厚膜化が可能になったことで、n層の膜厚依存性が観測された。空間電荷制限電流と考えられる特徴が得られたので報告する。