[18p-F306-1~17] 12.7 Biomedical Engineering and Biochips

[18p-F306-16] Response evaluation on extended-gate type a-InGaZnO TFT pH sensors

〇Shinnosuke Iwamatsu¹, Kazushige Takechi², Yutaka Murakami¹, Hiroshi Tanabe², Yoshiyuki Watanabe¹ (1.Yamagata Res. Inst. Tech., 2.Tianma Japan)

Keywords:extended-gate electrode, oxide semiconductor, pH sensor

我々は、非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物薄膜トランジスタ（a-InGaZnO TFT）を基本構造に用いた溶液ゲート型pHセンサの開発に取り組んでいる。本研究では、センサ耐久性を向上させるため、トップゲート絶縁膜上に形成したトップゲート電極をTFT外部に伸長し被検液に浸漬する構成である延長ゲート型pHセンサの開発に取り組んだ。