[18p-G203-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [18p-G203-10] 酸素欠陥を導入したTa₂O_5-δ抵抗変化型多値メモリ特性の検討

〇(M2C)李 遠霖¹、勝村 玲音¹、Mika Gronroos¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹、安藤 秀幸²、森江 隆² (1.北大院情報、2.九工大生命体工)

キーワード：タンタル酸化物、抵抗変化メモリ、多値動作

抵抗変化型メモリ（ReRAM）は電圧の印加方法によって、デジタルまたはアナログの不揮発性メモリとして動作することが知られている。ニューラルネットワークを物理的に実現するには、シナプスを模倣した素子としてアナログ抵抗変化を示すメモリが必要とされている。本研究では、Ta₂O_5-δを用いたReRAMの膜形成条件（酸素分圧と膜厚）を変化させ、多値・アナログ特性の出現条件を評価した。