[18p-G203-1~18] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

△ [18p-G203-11] In-situ TEM Observation of Operational Instability of CBRAM

〇Satoshi Muto¹, Shinya Sakai¹, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi¹, Masashi Arita¹, Yasuo Takahashi¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:ReRAM, in-situ TEM, CBRAM

複数回動作させた後の様子を再現するため、両電極をCuにしたCBRAM試料を作製し、不安定動作時の構造変化についてTEMその場観察を行った。その結果、不安定な動作を示す際には、両極からCuが伸びるといったような電気化学反応だけでは説明ができない現象が観察できた。