[18p-G203-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [18p-G203-11] CBRAMの動作不安定性に関するTEMその場観察

〇武藤 恵¹、酒井 慎弥¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：抵抗変化メモリ、in-situ TEM、CBRAM

複数回動作させた後の様子を再現するため、両電極をCuにしたCBRAM試料を作製し、不安定動作時の構造変化についてTEMその場観察を行った。その結果、不安定な動作を示す際には、両極からCuが伸びるといったような電気化学反応だけでは説明ができない現象が観察できた。