[18p-G203-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[18p-G203-12] VO₂ニューロンにおけるスパイク誘起-金属絶縁体転移

〇矢嶋 赳彬¹、西村 知紀¹、鳥海 明¹ (1.東大マテ)

キーワード：VO2、金属絶縁体転移、ニューロモルフィック

ニューロモルフィックハードウェアのための新しい回路として、VO₂等の金属絶縁体転移材料を用いたニューロン回路の研究を進めてきた。VO₂に複数のスパイク電圧を連続で印加すると、単一スパイクでは転移しないが複数スパイクでは転移するという、ニューロンの積分発火特性と類似の性質を示す。しかし、スパイク電圧のように時間に対して激しく変動する電圧に対して、VO₂がどのような転移を示すのか系統的に調べた研究はない。そこで本研究では、VO₂に様々な周波数のAC電圧を印加することで、変動電圧によって誘起される金属絶縁体転移の支配パラメータを明らかにした。