2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／集積化技術

[18p-G203-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:00 G203 (63-203)

齋藤 真澄(東芝)、宮地 幸祐(信州大)

17:45 〜 18:00

[18p-G203-18] データの書き換え頻度に応じたTLC NAND型フラッシュメモリにおけるワード線単位のしきい値電圧変調手法

〇出口 慶明1、竹内 健1 (1.中大理工)

キーワード：TLC NAND型フラッシュメモリ、信頼性