[18p-G205-1~18] 12.1 作製・構造制御

△ [18p-G205-2] ハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導体のヘテロエピタキシャル薄膜形成(II)

〇(M1)木村 浩平¹、松下 智紀^1,2、近藤 高志^1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

キーワード：ペロブスカイト、エピタキシー