[18p-P14-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-P14-10] X線吸収分光によるSiO₂/SiC界面の原子構造解析

〇磯村 典武¹、小坂 悟¹、片岡 恵太¹、渡辺 行彦¹、木本 康司¹ (1.豊田中研)

キーワード：SiC-MOSFET、X線吸収端微細構造解析、界面構造

SiC-MOSパワーデバイスにおいて、ゲート絶縁膜(SiO₂)/SiC界面の原子構造は、しきい値電圧や移動度などの電気特性への影響が大きい。最近開発したX線吸収分光分析の界面選択測定法を用いて、非破壊分析でのSiC側界面の原子構造解析を試みた。m面SiCは一般的なSi面と異なり、短いSi-C結合を持つ原子レベルの歪みが存在した。ドライO₂酸化を行っていることから、m面では酸素原子の挿入によりSi-C結合長が変化した界面構造の形成が示唆される。