[18p-P14-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-P14-12] 4H-SiC/SiO₂界面O₂酸化の第一原理シミュレーション
～炭素クラスターの形成と拡散～

〇山崎 隆浩¹、田島 暢夫¹、金子 智昭¹、奈良 純¹、清水 達雄²、加藤 弘一³、金田 千穂子⁴、大野 隆央¹ (1.物材機構、2.東芝研究開発センター、3.東大生産研、4.富士通研)

キーワード：界面準位、第一原理計算、炭素クラスター

SiC(0001)Si面およびSiC(000-1)C面とSiO2界面に22個までのO₂分子を連続的に導入し、定温の第一原理シミュレーションを行うことにより生じたＣクラスターの分布とサイズを解析した。C19までの大きさのクラスターが形成されるが、これらの一部は酸化の進行に伴い表面方向に拡散していく。界面準位はCクラスターに由来するものが多いが、界面Cの個数とではなくCクラスターの状態と関係が深いことが分かった。