[18p-P14-1~19] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[18p-P14-19] Over Temperature Torelability of SiC Power Module molded with Thermoset EMC

〇Mari Yamshita¹, Tatsuhiro Suzuk¹, Sawa Araki¹, Satoshi Tanimoto¹, Hisashi Yakumaru², Kan Akatsu³ (1.NISSAN ARC, Ltd, 2.Hitachi Power Solutions Co., Ltd, 3.Shibaura Inst. Tech)

Keywords:semiconductor

プロジェクトNEDO-SIPで実施している『EVモータ駆動用機電一体インバータの研究開発』では内径149 mmのモータの内部にTj =-40℃～200℃で使用可能な超小型ＳｉＣハーフブリッジパワーモジュール(HBPM)10個を組込む。筆者らはこのHBPMの１アームに大きさが略等しいTO-247パッケージを用いて高信頼化を進めている[1]。上記Tj範囲における高温放置試験（HTST）や冷熱サイクル試験（TCT）ではすでに高信頼を得ている[2]。今回、システム組立時や実使用時の異常などでおこる一時的過温度状態に対するPMの耐性を評価したので報告する。