[18p-P14-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-P14-19] 次世代SiCパワーモジュールの過温度耐久性

〇山下 真理¹、鈴木 達広¹、荒木 祥和¹、谷本 智¹、薬丸 尚志²、赤津 観³ (1.日産アーク、2.日立パワーソリューションズ、3.芝浦工業大)

キーワード：半導体

プロジェクトNEDO-SIPで実施している『EVモータ駆動用機電一体インバータの研究開発』では内径149 mmのモータの内部にTj =-40℃～200℃で使用可能な超小型ＳｉＣハーフブリッジパワーモジュール(HBPM)10個を組込む。筆者らはこのHBPMの１アームに大きさが略等しいTO-247パッケージを用いて高信頼化を進めている[1]。上記Tj範囲における高温放置試験（HTST）や冷熱サイクル試験（TCT）ではすでに高信頼を得ている[2]。今回、システム組立時や実使用時の異常などでおこる一時的過温度状態に対するPMの耐性を評価したので報告する。