2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[18p-P14-1~19] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2018年3月18日(日) 16:00 〜 18:00 P14 (ベルサール高田馬場)

16:00 〜 18:00

[18p-P14-2] 溶液法SiC結晶成長におけるメルトバックが成長結晶の品質に及ぼす影響

川口 浩太郎1、関 和明2、楠 一彦1,2 (1.東北大院環境、2.新日鉄住金)

キーワード:溶液法、4H-SiC

溶液法では結晶成長前に種結晶表層を溶解させるメルトバック工程があり、成長結晶の品質を左右する重要な工程と考えられているが、研究例が少なく、その詳細は不明な点が多い。そこで本研究では、メルトバックが成長初期の結晶性に及ぼす影響について明らかにすることを目的とした。今回、メルトバック非適用時と適用時で溶液成長実験を行い、種結晶と成長結晶の界面観察と成長結晶の品質比較を行った。