[18p-P14-1~19] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-P14-9] Metal/SiO₂/SiCバンドアライメントのゲート電極金属依存性

〇安野 聡¹、小金澤 智之¹、村岡 幸輔²、小早川 貴一²、石川 誠治³、黒木 伸一郎² (1.高輝度光科学研究セ、2.広島大学ナノデバイス、3.フェニテックセミコンダクター)

キーワード：SiC、硬X線光電子分光

硬X線光電子分光法(HAXPES)によりMetal/SiO₂/SiCバンドアライメントのゲート電極金属依存性を評価した。ゲート電極にAl, Ptの2種類を使用したものを測定に用いた。この結果、ゲート電極のメタルの種類(仕事関数)に依存して、SiO₂/SiC界面のオフセットやバンドベンディングが変調する事がわかった。