The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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22 Joint Session M » 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[18p-P15-1~11] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

Sun. Mar 18, 2018 4:00 PM - 6:00 PM P15 (P)

4:00 PM - 6:00 PM

[18p-P15-4] Impact of Film Quality of AlN Thermal Conductive Layer on the Thermoelectric Power of Silicon Nanowire Micro Thermoelectric Generator

Kohei Mesaki1, Ryo Yamato1, Tianzhuo Zhan1, Shuichiro Hashimoto1, Shunsuke Oba1, Yuya Himeda1, Takehiro Kumada1, Mao Xu1, Hiroki Takezawa1, Kazuaki Tsuda1, Takashi Matsukawa2, Takanobu Watanabe1 (1.Waseda Univ., 2.AIST)

Keywords:AlN, energy harvesting

熱電材料の性能を最大限に引き出すには、熱電変換部の温度差を大きくすることが重要であり、そのためには周辺の寄生熱抵抗の削減が必須となる。窒化アルミニウム(AlN)は、熱伝導率が高くSiと熱膨張係数が近いことから、Si-NWを用いたμTEGの熱伝導層材料の有力候補である。今回我々は、成膜条件が異なるAlNのN欠損密度を電子線マイクロアナライザを用いて調査し、μTEGの発電特性との関係を調査した。