2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

印刷

一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.5 表面物理・真空

[18p-P2-1~10] 6.5 表面物理・真空

2018年3月18日(日) 13:30 〜 15:30 P2 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[18p-P2-4] Cs/GaAs基板のフォトカレント特性に対する基板表面状態の影響

〇(M2)佐藤 孝吉1、出射 幹也1、秋山 侑輝1、七井 靖1、渕 真悟1 (1.青学大)

キーワード：NEA、GaAs、MOCVD