[18p-P6-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[18p-P6-2] 熱処理したMg₂Siのキャリア濃度と赤外吸収の関係(Ⅱ)

〇(M1)矢口 楓子¹、中野 浩平¹、石川 巧真¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大院)

キーワード：マグネシウムシリサイド、半導体、赤外吸収