[18p-P7-1~7] 13.3 絶縁膜技術

[18p-P7-2] ALDにより形成したHigh-k/MoS₂構造の電気特性評価

〇張 文馨¹、岡田 直也¹、浅井 栄大¹、福田 浩一¹、入沢 寿史¹ (1.産総研)

キーワード：MoS2、high k、ALD