[18p-P7-1~7] 13.3 絶縁膜技術

[18p-P7-5] SiN_x膜の表面酸化層への水分子透過

〇奥 友希¹、戸塚 正裕¹、高木 晋一¹ (1.三菱電機　波光電)

キーワード：分子軌道計算、耐湿性、表面酸化層

我々は、SiN_x膜中の窒素原子に対する酸素原子の置換と分子軌道法によるシリコン原子の脱離により形成された表面酸化層へのH₂O分子の透過を計算した。結果は、シリコン原子の脱離によって形成された酸化層がH₂O分子のより高い透過性を有することを示す。我々は、SiN_x膜の耐湿環境下での耐酸化性および耐湿性劣化を説明するために、シリコン原子の脱離が必要であると考えている。