[18p-P7-1~7] 13.3 絶縁膜技術

[18p-P7-7] 1050℃熱処理において生成したシリコン窒化膜の常磁性欠陥

〇(M1)山口 真司¹、数見 理¹、小林 清輝¹ (1.東海大院工)

キーワード：シリコン窒化膜