[18p-P8-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-P8-12] MBE成長したErドープGaAsの発光特性に対するアニーリングの影響

〇五十嵐 大輔¹、高宮 健吾¹、伊藤 隆²、八木 修平¹、秋山 英文²、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工、2.東京大物性研)

キーワード：MBE、ガリウムヒ素、エルビウム