[18p-P8-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18p-P8-6] RHEED強度計測によるキャップ層埋め込みInAs量子ドットの特性評価

〇生野 大吾¹、尾崎 信彦¹ (1.和歌山大シス工)

キーワード：InAs量子ドット、反射高速電子線回折