[18p-P9-1~34] 3.12 ナノ領域光科学･近接場光学

[18p-P9-30] 近接場光局所励起・観察によるキャリア輸送現象の解明Ⅳ

〇栗原 和也¹、岩本 亘平¹、酒井 優¹、石川 陽¹、堀 裕和¹、岸野 克巳²、小林 潔¹ (1.山梨大院工、2.上智大理工)

キーワード：キャリア輸送、InGaN

InGaN量子井戸内の励起子は、In組成揺らぎに起因するバンドギャップエネルギー揺らぎを反映して拡散する。この励起子輸送現象は古典的拡散なのか、あるいは非古典的な輸送を含んでいるのか、その詳細は明らかになっていない。
本講演ではある領域におけるキャリア拡散の様子が励起位置を変えた場合にどう変化するのかを実験的に可視化すると共に、InGaN量子井戸内のキャリア輸送現象について理論的な議論を加え考察を行ったので報告する。