[19a-B201-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [19a-B201-6] Si基板上inverted-rib構造Ge選択成長層における貫通転位密度低減

〇(DC)八子 基樹¹、石川 靖彦²、和田 一実^1,3 (1.東大院工、2.豊橋技科大、3.マサチューセッツ工大)

キーワード：ゲルマニウム、エピタキシャル成長、貫通転位密度

本研究ではSi基板上Ge中の貫通転位密度(TDD)低減を目的とし、新たなTDD低減モデルを提案・実証した。鏡像力による転位の曲がりと成長温度による選択成長Geの断面形状制御、そして選択成長Ge同士が合体して平坦膜を作る性質を利用し、1 µm厚のGe層において高温熱処理や厚い緩衝層を導入することなく4×10⁷ cm^-2と低いTDDを実現した。実験的に得られたTDDはTDD低減モデルに基づき計算された結果とよく一致した。