[19a-B201-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

[19a-B201-8] Ge/Siリブ導波路構造を用いた電界吸収型光変調器の検討Ⅱ

〇藤方 潤一¹、野口 将高¹、川下 和樹²、高橋 重樹¹、西村 道治^3,2、小野 英輝¹、志村 大輔¹、高橋 博之¹、八重樫 浩樹¹、石川 靖彦²、中村 隆宏¹ (1.PETRA、2.豊橋技科大、3.東大)

キーワード：ゲルマニウム、電界吸収型光変調器

SiベースのPN接合リブ導波路上に細線導波路構造からなるGe層をエピタキシャル成長してp, nドーピングすることにより，20-40 μm長の小型Ge/Si-電界吸収型光変調器において，Cバンド波長帯での動作と25Gbps以上の高速動作を実証した．