[19a-C101-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-C101-10] 多結晶SiへのホットC+イオン注入法によるSiCナノドットの形成

〇金澤 力斗¹、小又 祐介¹、井口 裕輔¹、青木 孝¹、鮫島 俊之²、水野 智久¹ (1.神奈川大学理、2.東京農工大工)

キーワード：SiC、ホットイオン注入、量子ドット