[19a-C101-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-C101-5] PDSスピンコーティングによるFinFET向けダメージレスドーピング技術

〇松川 貴¹、森 貴洋¹、澤田 佳宏²、木下 洋平²、柳 永勛¹、昌原 明植¹ (1.産総研、2.東京応化工業)

キーワード：FinFET、ドーピング、固相拡散

FinFET導入後のスケーリングの進展に伴い、fin厚さの縮小が進んでいる。fin厚さが薄くなった場合に、finへのイオン注入によるダメージの影響が顕在化する。本発表では、finへのダメージレスドーピングを低コストで実現する手法として、スピンコートされたリンドープシリカ(Phosphorus-doped silica: PDS)を用いた固相拡散ドーピングの検討結果について報告する。