[19a-C102-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19a-C102-7] [講演奨励賞受賞記念講演] LaOエピタキシャル薄膜における超伝導の格子歪効果

〇神永 健一^1,2、岡 大地²、福村 知昭^2,3,4、長谷川 哲也¹ (1.東大院理、2.東北大院理、3.東北大WPI-AIMR、4.東北大スピントロニクス教育センター)

キーワード：超伝導、薄膜、希土類

岩塩構造LaOはこれまで高温超伝導体(La,Sr)₂CuO₄に代表される層状構造に内包される絶縁性ブロック層として知られていた。ところが、我々はYAlO₃ (110)基板上のLaOエピタキシャル薄膜が、最高で約4.5 Kの転移温度をもつ超伝導を示すことを前回報告した。今回、LaO薄膜の格子歪を制御することで、転移温度の上昇を見出したので報告する。