[19a-C103-1~12] 6.4 薄膜新材料

[19a-C103-10] 擬似III-V族窒化物ZnSnN₂薄膜の電子輸送機構

曹 祥¹、川村 史朗²、谷口 尚²、〇山田 直臣¹ (1.中部大工、2.物質･材料研究機構)

キーワード：窒化物半導体、擬似III-V族化合物