[19a-C103-1~12] 6.4 薄膜新材料

[19a-C103-12] ダイナミックオーロラPLD法を用いたMn₃CuNエピタキシャル薄膜の成長と評価

〇川口 昂彦¹、鈴木 淳平¹、坂元 尚紀¹、鈴木 久男¹、脇谷 尚樹¹ (1.静大工)

キーワード：窒化物、PLD、エピタキシャル薄膜

我々は成膜中に磁場印加が可能である、ダイナミックオーロラPLD法を用いてMn₃CuN薄膜の成長を行った。成長温度を変化させて薄膜を作製したところ、成長温度とともに結晶性が向上することが確認された。特に500℃の薄膜では(111)ピークの半値幅が1度程度と十分に高い結晶性を有していることが分かった。