[19a-C103-1~12] 6.4 Thin films and New materials

[19a-C103-12] Growth and Caracterization of Mn₃CuN Epitaxial Thin Films by Dynamic Aurora PLD

〇Takahiko Kawaguchi¹, Jumpei Suzuki¹, Naonori Sakamoto¹, Hisao Suzuki¹, Naoki Wakiya¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:Nitride, PLD, Epitaxial thin film

我々は成膜中に磁場印加が可能である、ダイナミックオーロラPLD法を用いてMn₃CuN薄膜の成長を行った。成長温度を変化させて薄膜を作製したところ、成長温度とともに結晶性が向上することが確認された。特に500℃の薄膜では(111)ピークの半値幅が1度程度と十分に高い結晶性を有していることが分かった。