2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[19a-C103-1~12] 6.4 薄膜新材料

2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:15 C103 (52-103)

遠藤 民生(さがみはら表面研)、鈴木 宗泰(産総研)

11:00 〜 11:15

[19a-C103-8] 第一原理計算による遷移金属ダイカルコゲナイドのゲージファクタ解析

中村 康一1,2 (1.京大学際セ、2.エジプト日本科技大)

キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、ゲージファクタ、第一原理計算

層状物質である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は新しい機能性材料として大きな注目を集めている.本研究では第6族金属(MoおよびW)とカルコゲン原子によるいくつかの組み合わせの単層および多層TMDCについて電子構造のひずみ応答を第一原理計算により解析し,ゲージファクタのシミュレーション値に基づいて新規デバイス素子への可能性やヘテロ接合におけるマッチングについて議論した.