[19a-C104-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

[19a-C104-10] Dependence of {111}-textured PbLa(Zr,Ti)O₃ thin films on Pt electrode using AlO_x, TiO_x, or PtO_x buffer layer

〇Wensheng Wang¹, Kenji Nomura², Ko Nakamura¹, Takashi Eshita^3,1, Soichiro Ozawa¹, Hideshi Yamaguchi², Kazuaki Takai¹, Junichi Watanabe¹, Satoru Mihara¹, Yukinobu Hikosaka¹, Makoto Hamada¹, Yuji Kataoka², Manabu Kojima¹ (1.Fujitsu Semicond., 2.Fujitsu Lab., 3.Wakayama Univ.)

Keywords:FRAM, Crystallinity, buffer layer

我々は、ICカードの多機能化及び近年注目されているIoT市場のニーズに対応して、低電圧動作、高集積度のFRAM製品用に、電気的特性の優れたPLZTの成膜プロセスを開発した。FRAMの特性とその製造歩留まりは、強誘電体膜PLZTの結晶配向性に影響されている。本発表では、FRAM特性及びデバイス歩留まりを改善するために、強誘電体膜、下部電極の結晶性を向上させるために、下部電極とCMOSのバッファ層種類の影響及びそのメカニズムを議論する。