[19a-C302-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [19a-C302-1] Intracollisional Field Effect of Polar Optical Phonon Scattering in GaN

〇(M1)Shintaro Makihira¹, Nobuya Mori¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:intracollisional field effect, GaN, polar optical phonon scattering

SiC, GaN などの広い禁止帯(WBG) を持つ半導体では，絶縁破壊電界が数MV/cm と高く，パワーデバイス応用に向けて，Si に代わる半導体材料として注目されている．数MV/cm程度の印加電界のもとでは，散乱中に電子が加速される，散乱内電界効果(ICFE)が重要な役割を演じると予想される．本研究では，GaN の極性光学フォノン散乱過程に対するICFE の影響を調べた．